Högnivå materiell kiselnitrid

Under avlägsna förhållanden kan kiselpulver helt nitreras i SHS -processen för att genererakiselnitridoch produkten har högt kväveinnehåll och lågt syreinnehåll, men det är fas. I kiselfummen SHS -reaktionen måste en lämplig mängd si _3 n _4 frö läggas till; Förökningshastigheten för SHS -förbränningsvågen av kisel ökar med ökningen av kvävetrycket och minskningen av reaktantfyllningstätheten, men den är oberoende av reaktantkompositionen och provdiametern. Förbränningsvågtemperaturen ökade med ökningen av kvävetrycket och ökningen av provdiametern, som var oberoende av sammansättningen av reaktanter och fyllningstäthet.

1.KiselnitridFilmer framställdes med användning av Plasma Chemical Vapor Deposition (PECVD) -teknologi under olika avsättningsförhållanden (underlagstemperaturintervall på 20 ~ 180 grader och RF -effekt på 10 ~ 30W), och effekterna av avsättningsförhållanden på egenskaperna och vattentäta egenskaper hos kiselnitridfilmer studerades. De experimentella resultaten visar att med ökningen av substrattemperaturen ökar densitet, brytningsindex och Si/N -förhållandet för kiselnitridfilmer på motsvarande sätt, medan deponeringshastigheten och H -innehållet minskar på motsvarande sätt. Med ökningen av RF -effekt ökar avsättningshastigheten, densiteten, brytningsindexet och Si/N -förhållandet av kiselnitridfilmer på motsvarande sätt, medan H -innehållet minskar på motsvarande sätt. Experimentet av vattenånga permeation visar att även om substrattemperaturen reduceras till 50 grader har den avsatta kiselnitridfilmen fortfarande god vattentät prestanda. Experimentella resultat visar att lågtemperaturkisel nitridfilmer effektivt kan tillämpas på förpackningen av organiska ljusemitterande enheter (OLEDS).

Populära Taggar: Högnivå materiell kiselnitrid, Kina på hög nivå av materiell kiselnitridtillverkare, leverantörer, fabrik