Silicon Carbie Pulver För Slipning Polering

Tillverkningen av kiselkarbid involverar flera komplexa processer. En av de primära metoderna är Acheson-processen, som utvecklades i slutet av 1800-talet. I denna process värms en blandning av kiseldioxidsand och petroleumkoks i en elektrisk motståndsugn till temperaturer runt 2000 - 2500 grader. Den höga temperaturen orsakar en kemisk reaktion mellan kiseldioxid i sanden och kol i koksen, vilket resulterar i att kiselkarbid bildas. Acheson-processen producerar dock vanligtvis kiselkarbid med föroreningar, vilket kräver ytterligare reningssteg.

Moderna tillverkningstekniker fokuserar på att producera enkristall kiselkarbid med hög renhet för halvledarapplikationer. Kemisk ångavsättning (CVD) är en mycket använd metod för att odla högkvalitativa SiC-enkristaller. I CVD införs en blandning av flyktigt kiselinnehållande och kolinnehållande prekursorer i en högtemperaturreaktor. Dessa prekursorer sönderdelas och avsätter kisel- och kolatomer på en frökristall, och växer gradvis en stor enkristallisk SiC-bulle. Tillväxtprocessen måste kontrolleras exakt för att säkerställa kristallens kvalitet, eftersom eventuella defekter avsevärt kan påverka prestandan hos SiC-baserade enheter. Efter kristalltillväxt skivas boulen, poleras och bearbetas till wafers, som sedan används för att tillverka olika SiC-baserade elektroniska och optoelektroniska enheter.

ZhenAn är ett företag specialiserat på metallurgiska och eldfasta produkter, som integrerar produktion, bearbetning, försäljning och import och export. Vi är fokuserade på att bygga ett dedikerat team av proffs över hela världen. På ZhenAn är vi fast beslutna att tillhandahålla kompletta lösningar genom att leverera "rätt kvalitet och kvantitet" för att passa våra kunders processer.

Populära Taggar: silicon carbie pulver för slipning polering, Kina silicon carbie pulver för slipning polering tillverkare, leverantörer, fabrik